方向：理工
专业：工程
适合人群：电子与计算机科学,电子工程,计算机工程,电子电气工程,信号与信息处理,电子与通信工程
是否可以加论文：是
项目时长及形式：英文
产出：
7周在线小组科研学习+5周论文辅导学习 共125课时
学术报告
优秀学员获主导师Reference Letter
EI/CPCI/Scopus/ProQuest/Crossref/EBSCO或同等级别索引国际会议全文投递与发表（可用于申请）
结业证书
成绩单
项目介绍：
项目中，导师将带领学生探讨芯片设计中的功耗、材料、逻辑、集成规模等诸多课题。每个学生将在集成电路技术范围内自选题目，进行研究。在项目结束时，完成项目报告，进行成果展示。In this program, students will learn how MOSFET transistors work, and how to model them. The understanding provided in this course is essential not only for device modelers, but also for designers of high-performance circuits including VLSI.
个性化研究课题参考 Suggested Research Fields?
短通道效应在鳍式场效应晶体管中的表现Short channel effect (SCE) manifests in finFETs
现代CMOS的静电保护设备（ESD）Electrostatic Protection Devices (ESD) for modern CMOS
如何尽量减少鳍式场效应晶体管的寄生电容 How to minimize the parasitic capacitance of finFETs
如何打破光学光刻的衍射极限How to break the diffraction limit in optical lithography
离子植入和在小于10纳米CMOS的韧练：Ion implantation and anneal in sub-10-nm CMOS
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